Bipolartransistor 2SA1289

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1289

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 280
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SA1289

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1289 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 280 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1289 liegt im Bereich von 70 bis 280, die des 2SA1289-Q im Bereich von 70 bis 140, die des 2SA1289-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1289-S im Bereich von 140 bis 280.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1289-Transistor könnte nur mit "A1289" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1289 ist der 2SC3253.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1289

Sie können den Transistor 2SA1289 durch einen 2SA1290, 2SA1291, 2SA1469, 2SA1470, 2SA1471, 2SA770, 2SA771, 2SB633, BD204, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D45H11, D45H11FP, D45H8, MJE15029 oder MJE15029G ersetzen.
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